پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی در 18 اسلاید

پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی در 18 اسلاید

قبل از خرید حتما توضیحات را کامل مطالعه نمایید

صفحه اصلی
راهنما
محصولات
لیست فروشگاه ها
درباره ما
قوانین
نقشه سایت
تماس با ما

پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی در 18 اسلاید

15000 قیمت

پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی در 18 اسلاید

پاورپوینت کامل با عنوان بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی  در 18 اسلاید

 

 

 

 

 

 

 

 

نانولوله‌های کربنی که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانه‌ای توخالی ساخته شده‌است در سال ۱۹۹۱ توسط سامیو ایجیما (از شرکت NEC ژاپن) کشف شد.

نانو لوله های کربنی ،ساختارهای حلقوی تو خالی و متشکل از اتم های کربن هستندکه می توانند به شکل تک یا چند جداره آرایش یابند و دارای خواص فلزی و شبه رسانایی نیز هستند.نانو لوله های کربنی دارای سطح ویژه ی بسیار بالا،نفوذ پذیری زیاد وپایداری مکانیکی و حرارتی خوبی هستند.اگر چه تخلخل های نانولوله های کربنی به طور قابل توجهی کوچک است.غشا های نانو لوله ای نشان داده اند که به خاطر سطح داخلی صاف نانولوله ها،شدت جریان بیشتر یا یکسانی نسبت به تخلخل های بسیار بزرگتر دارند.این مواد بادوام ودر مقابل گرما مقاومند و نیز تمیز کردن و استفاده ی مجدد از آن ها در فرایند های تصفیه ای مانند آب وفاضلاب ساده است.غشا های نانو لوله ای می توانند تقریباً" تمام آلودگی های آب اعم از باکتری ،ویروس،ترکیبات آلی و کدورات را حذف نمایند.

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حامل‌های اکثریت و اقلیت هم‌زمان در آن‌ها نقش دارند) قرار می‌گیرند.ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایهٔ سورس، درین و گیت هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ماسفت و جی‌فت تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ولتاژ به گیت صورت می‌گیرد.

کاربردها

کاربرد اصلی این ترانزیستورهای در مدارهای مجمتع به‌ویژه تراشه‌های دیجیتال است. در بیشتر این تراشه‌ها هزاران ماسفت استفاده شده‌است که نه تنها به عنوان عنصر فعال بلکه به عنوان مقاوت و خازن نیز به کار می‌روند. هرچند مدارهای ساخته‌شده با ماسفت نسبت به مدارهای ساخته‌شده با بی‌جی‌تی‌ها پیچیده‌تر هستند و سرعت کمتری دارند، اما هزینهٔ کمتری نیز دارند و فضای کمتری اشغال می‌کنند و بنابراین در فناوری‌های یکپارچه‌سازی کلان‌مقیاس (VLSI) کاربرد گسترده‌ای دارند و در فرآیندهای کنترل صنعتی، ابزارهای الکترونیک خودکار، الکترونیک نوری، مدارهای سوئیچینگ تلفنی و… نقش مهمی ایفا می‌کنند. جی‌فت‌ها همچنین به علت مقاومت ورودی زیاد و اغتشاش کم در الکترونیک خطی (غیر دیجیتال) اهمیت ویژه‌ای دارند. از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای کاربردی‌ای نظیر تقویت‌کننده‌ها، کلیدها، منابع جریان، بار فعال و… استفاده می‌شود. فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف‌ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند.

 

فهرست مطالب:

نانو لوله های کربنی

مزایای نانو لوله های کربنی

روش های ساخت نانو لوله های کربنی

ترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتی

ترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا

ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله های كربنی گيت دور نانولوله

مراحل ساخت ترانزيستورهای اثر ميدان نانولوله های كربنی گيت دور نانولوله

مشکلات ترانزیستورهای اثرمیدانی با نانو لوله های کربنی

تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی

نامرتبی در نانولوله ها

وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها

رشد ناخواسته فلز در نانولوله ها

مقايسه پارامترهای كليدی ترانزيستورهای اثر ميدان مبتنی بر نانولوله های كربنی با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET

بررسی تئوری جريان درين در ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربنی گيت

استفاده از CNTFET برای ساخت حسگر گاز

ساخت گیت NOT با CNTFET

نتیجه گیری

منابع


خرید

پرداخت آنلاین
mouse corsair

دوره استراتژی قدرتمند PTC

299,000 تومان

مشاهده دوره